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英特尔、三星服务器DRAM市场再掀战
发布时间:2021-10-24
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本文摘要:全球半导体龙头英特尔(Intel)发售3DXPoint技术,睽违31年再次挥师DRAM市场。英特尔并非著手生产DRAM,而是以融合DRAM和NANDFlash的次世代记忆体,进击服务器用DRAM市场。 而三星电子(SamsungElectronics)自DDR4之后,加快研发新的DRAM,尤其注目英特尔的行径。 全球半导体市场前两名企业的技术竞争,更有业界目光。

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全球半导体龙头英特尔(Intel)发售3DXPoint技术,睽违31年再次挥师DRAM市场。英特尔并非著手生产DRAM,而是以融合DRAM和NANDFlash的次世代记忆体,进击服务器用DRAM市场。  而三星电子(SamsungElectronics)自DDR4之后,加快研发新的DRAM,尤其注目英特尔的行径。

全球半导体市场前两名企业的技术竞争,更有业界目光。  据ETNews报导,英特尔在开发者大会IDF2015公开发表了部分采行3DXPoint的产品策略,然未公开发表详尽的产品规格或上市日程。

英特尔预告片除固态硬碟(SSD)外,也将发售服务器用双列直插式记忆体模组(DIMM),对NANDFlash和DRAM市场都将带给影响。  3DXPoint为全新非挥发性记忆体,英特尔称之为其为1989年发售NANDFlash以来的第一个新的记忆体类别。3DXPoint结构与3DNAND技术近似于,但不像NANDFlash将资讯储存在元件,而是储存在架构中字组线和位元线的交叉点上,系统以求分开读取每个储存单元。

  英特尔资料中心事业群总经理DianeBryant特别强调,采行3DXPoint的服务器DIMM将沦为首度在主要记忆体上使用非挥发性记忆体的案例。这将造就服务器用记忆体的变化。

  SSD将代替部分服务器DRAM,英特尔和DRAM制造厂三星、SK海力士(SKHynix)等将掀开地盘保卫战。虽然无法代替整体服务器DRAM,但英特尔计划转变现有服务器设计,并将可替代的领域扩展到仅次于。

  英特尔公开发表了与美光(Micron)联合研发的次世代记忆体技术3DXPoint后,在IDF2015中公开发表回应正在研发使用该技术的服务器用DIMM和SSD。英特尔使用3DXPoint技术的新SSD品牌为Optane,较传统NANDFlash的资讯接管速度快1,000倍,耐久性也提高1,000倍。  英特尔样板较为了SSDDCP3700系列和OptaneSSD概念产品的性能,当DCP3700系列的IOPS(Input/OutputOperationsPerSecond)为3.49万时,Optane概念产品的IOPS为46.18万,解释Optane的资讯处理量多了5~7倍。  英特尔也计划发售基于3DXPoint的服务器DIMM模组,主要用在讲究资讯处置功能的资讯中心服务器或工作站。

英特尔公开发表正在研发服务器用DIMM的消息后,意味著也将为DRAM市场带给变化。三星和SK海力士都非常注目英特尔先前的动作。

  在DRAM市场上离婚第一、二名的三星和SK海力士,时隔DDR4之后,加快研发次世代DRAM。  将年所登场的记忆体将不会是图形芯片和高性能电脑(HPC)用DRAM,高频长记忆体(HBM)。

该产品采行直通矽穿孔技术(TSV),三星和SK海力士都有少量生产,自2016年初将月投入量产。  三星记忆体事业部首席工程师尹河龙(音译)回应,2016年初月量产HBM,2017年朝网路领域扩展市场等,将考古新的市场。


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